EddyCus®map C2C是一(yī)種全自(zì)動(dòng)測量(liáng)設備(bèi)，用於晶(jīng)圓(yuán)襯底(dǐ)或外延(yán)片(piàn)的全(quán)麵積表征(zhēng)，以確保半導(dǎo)體行業(yè)的(dí)工(gōng)藝可靠(kào)性(xìng)和(hé)質量(liáng)保證。EddyCus map C2C全(quán)自動(dòng)電阻(zǔ)率成(chéng)像(xiàng)係統(tǒng)配備了(liǎo)兩(liǎng)個在傳輸模(mó)式下工作的(dí)非(fēi)接觸(chù)式渦(wō)流傳(chuán)感(gǎn)器。這(zhè)允許非(fēi)常詳細地顯示(shì)基底(dǐ)材料(liào)或導(dǎo)電(diàn)塗層的(dí)均匀性(xìng)。該係(xì)統能(néng)夠測(cè)量(liáng)薄膜(mó)的薄層電阻或(huò)金屬膜厚(hòu)度以及(jí)晶圓襯底(dǐ)的電阻率(shuài)。

創新的(dí)浮動晶(jīng)圓(yuán)技術

在器件的開(kāi)發過(guò)程中，重(zhòng)點(diǎn)是將係統與晶(jīng)圓的接(jiē)觸(chù)減少到(dào)最小，以(yǐ)免(miǎn)影(yǐng)響(xiǎng)晶圓(yuán)的(dí)完整性(xìng)。因(yīn)此，該(gāi)設(shè)備(bèi)幾乎非(fēi)接觸式(shì)工作。晶(jīng)圓(yuán)基板或(huò)塗層(céng)的表麵沒有(yǒu)被觸摸。僅(jǐn)選(xuǎn)擇(zé)性(xìng)地(dì)並(bìng)且在(zài)晶圓(yuán)的側(cè)表麵(miàn)上(shàng)以很小(xiǎo)的(dí)力進行接觸。請查看(kàn)我們的EddyCus®地(dì)圖C2C視(shì)頻(pín)，了(liǎo)解處理過程。

高(gāo)分辨率(shuài)
，全(quán)表(biǎo)麵(miàn)晶圓map

測量設(shè)備(bèi)可對(duì)晶(jīng)圓(yuán)或(huò)塗層(céng)進行高分辨(biàn)率(shuài)的(dí)全(quán)區(qū)域(yù)成(chéng)像(xiàng)，讓(ràng)您(nín)深入(rù)了解(jiě)表征晶圓(yuán)的質量(liáng)。根據(jù)設置(zhì)和您的(dí)時間要求，可(kě)以(yǐ)想象幾(jī)十(shí)到數(shù)萬個測量點。

該(gāi)軟件(jiàn)還提供了(liǎo)各種分析工(gōng)具，如(rú)直方(fāng)圖或(huò)各種綫輪(lún)廓。要(yào)查看(kàn)晶(jīng)圓上(shàng)的(dí)某個區域的具(jù)體細節，您(nín)可以(yǐ)使用(yòng)選(xuǎn)擇(zé)工具(jù)選(xuǎn)擇相關位(wèi)置，然後使用(yòng)綫(xiàn)輪(lún)廓或直方圖(tú)再(zài)次對(duì)其進(jìn)行分析。

用於(yú)150毫(háo)米和200毫米晶(jīng)圓(yuán)的暗(àn)盒(hé)

EddyCus®map C2C有一個(gè)裝(zhuāng)載(zǎi)裝置(zhì)，可以裝載150毫米（6英(yīng)寸(cùn)）晶圓和(hé)200毫米（8英寸(cùn)）晶(jīng)圓的(dí)晶圓載體。晶片載體(tǐ)的容量為25個晶(jīng)片。

自(zì)動晶圓搬運

對於晶片成像，晶(jīng)片(piàn)從暗盒/載體轉移(yí)到渦電流(liú)傳感(gǎn)器，然(rán)後放(fàng)回(huí)暗(àn)盒(hé)。對於希望減少(shǎo)處理(lǐ)晶圓(yuán)時(shí)間的製造企(qǐ)業來說，一個有用(yòng)的工(gōng)具(jù)是(shì)自動化(huà)晶圓處理。我們的(dí)自(zì)動(dòng)化(huà)晶圓(yuán)處(chǔ)理(lǐ)技(jì)術(shù)降低了(liǎo)勞動(dòng)力成(chéng)本(běn)，提高了加工(gōng)精度(dù)，並(bìng)降低(dī)了人為(wéi)錯(cuò)誤(wù)的可(kě)能性。晶片由(yóu)係(xì)統精確測量(liáng)
，處理(lǐ)和(hé)運(yùn)輸(shū)，從暗盒到(dào)測(cè)量(liáng)站，再返回(huí)暗(àn)盒。通(tōng)過這(zhè)樣(yàng)做，不再需要(yào)人為操作(zuò)晶片，從(cóng)而防止測(cè)量誤差(chà)和潛(qián)在的(dí)晶片(piàn)損(sǔn)壞。

專用(yòng)於(yú)寬(kuān)帶隙材(cái)料(liào)，如SiC
，GaN

一(yī)種被(bèi)稱(chēng)為(wéi)寬帶(dài)隙(xì)材料(liào)的半(bàn)導體材料(liào)具(jù)有比典型半導(dǎo)體(tǐ)更寬的能(néng)帶隙。晶體(tǐ)管(guǎn)和其他集成(chéng)電路是在半導體領(lǐng)域使(shǐ)用寬(kuān)帶(dài)隙材料製成的。這(zhè)些組(zǔ)件對(duì)半導(dǎo)體至(zhì)關重要(yào)，因(yīn)為它(tā)們提供(gōng)了更高(gāo)的功率效(xiào)率和更快(kuài)的切換時間。寬帶(dài)隙(xì)材料(liào)適用(yòng)於(yú)高(gāo)功率應用，因為(wéi)它(tā)們也(yě)具(jù)有較(jiào)大的擊(jī)穿電壓。它(tā)們能夠更好地承(chéng)受輻(fú)射，這使它們非(fēi)常適(shì)合用(yòng)於(yú)太空應用(yòng)。碳(tàn)化矽(guī)
，氮化镓(jiā)和(hé)金(jīn)剛(gāng)石是具(jù)有寬帶(dài)隙的材(cái)料的(dí)幾個(gè)例(lì)子(zǐ)。許(xǔ)多不同的應用，如電源
，太陽(yáng)能(néng)電池和激(jī)光二(èr)極管，都使用這(zhè)些(xiē)材料。

薄(báo)層(céng)電(diàn)阻(zǔ)
，層(céng)厚(hòu)度(dù)和(hé)電(diàn)阻率(shuài)測量

EddyCus® map C2C能(néng)夠確定薄(báo)膜的薄(báo)層電(diàn)阻和厚度(dù)以及(jí)晶片襯底(dǐ)的電阻。該設備具(jù)有大的(dí)測量範圍，這意味(wèi)著幾乎(hū)所(suǒ)有可(kě)能的應(yīng)用(yòng)都(dū)可以通(tōng)過該設備進行(háng)測量。

EddyCus map C2C全自動電(diàn)阻率成像係統技術參(cān)數