MetriLiDAR MM-X係(xì)列微(wēi)型(xíng)激(jī)光幹涉儀基(jī)於激光(guāng)幹涉(shè)原理，激光幹涉(shè)儀(yí)是高精度，高靈(líng)敏度的測量(liáng)儀器，廣泛應用在先(xiān)進(jìn)製造(zào)領(lǐng)域(yù)。MetriLiDAR MM-X係列微(wēi)型激光(guāng)幹涉儀(yí)采(cǎi)用(yòng)了(liǎo)自主研(yán)發(fā)的高度集(jí)成(chéng)化的(dí)激光(guāng)傳(chuán)感平台，以工業(yè)應用中最重(zhòng)要的綫型標定(dìng)為核心,將幹(gān)涉(shè)儀(yí)的(dí)參考光(guāng)路內置(zhì)於(yú)幹涉(shè)儀中(zhōng)，將(jiāng)光(guāng)學相幹(gān)光路等(děng)集(jí)成在(zài)單(dān)個(gè)光電(diàn)芯片(piàn)上，一步實(shí)現(xiàn)激光幹涉儀的綫型測長(cháng)和標定功能，從(cóng)而簡(jiǎn)化(huà)了(liǎo)幹(gān)涉儀係統(tǒng)測試時(shí)的(dí)復雜程度(dù)。

MetriLiDAR MM-X係(xì)列微(wēi)型激光幹涉(shè)儀半導(dǎo)體典型(xíng)應用(yòng)

●超高精度位置跟蹤(zōng)應用(yòng)

在(zài)光刻過程(chéng)中,分(fēn)辨率是反映光(guāng)刻(kè)機(jī)理論上(shàng)可(kě)識(shí)別(bié)的最小特(tè)征尺(chǐ)寸的重要指(zhǐ)標,也決定著運動係統(tǒng)的控(kòng)製精(jīng)度(dù)。由於整(zhěng)個(gè)曝光(guāng)過程中(zhōng)要(yào)求係(xì)統(tǒng)以(yǐ)恒定(dìng)的(dí)速度(dù)運行,對速度(dù)的均(jūn)匀(yún)性要求(qiú)較高(gāo),因此對控(kòng)製的精(jīng)度(dù)的要求更為(wéi)苛刻,通(tōng)常情況下,匀速性由跟蹤(zōng)誤(wù)差(chà)反(fǎn)映(yìng),無掩模(mó)掃(sǎo)描式光(guāng)刻係統(tǒng)的控製(zhì)要滿足(zú)納(nà)米級精度(dù), 工件台自身的(dí)控製也要(yào)求(qiú)達到(dào)該數(shù)量級，並且(qiě)工(gōng)件(jiàn)台控(kòng)製係統的跟(gēn)蹤定位精度也(yě)是(shì)影響(xiǎng)套(tào)刻精(jīng)度(dù)的(dí)重(zhòng)要因素(sù),預防反復(fù)曝光(guāng)芯片刻蝕過(guò)程(chéng)中,發(fā)生(shēng)偏離(lí)導致電路(lù)圖案(àn)扭曲影響(xiǎng)芯(xīn)片性(xìng)能(néng)。

l  平(píng)麵檢測

在光刻測量(liáng)過程中(zhōng),矽片(piàn)在高速(sù)運(yùn)動(dòng)情(qíng)況下,容(róng)易發(fā)生形(xíng)變,從而(ér)影(yǐng)響(xiǎng)矽(guī)片(piàn)的平(píng)麵度(dù),降低光(guāng)刻(kè)精度。為了(liǎo)優化(huà)矽(guī)片平(píng)台(tái)的操(cāo)作模式,需(xū)要(yào)一種納(nà)米級(jí)超高精度，無(wú)接(jiē)觸的(dí)形變量測量方(fāng)式。